您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
用俄歇参数法研究SiO2/Si界面层硅元素过渡态
更新时间：2026-07-27

    • 用俄歇参数法研究SiO2/Si界面层硅元素过渡态

    • Issue 6, Pages: 74-77(1993)

    • DOI：10.19969/j.fxcsxb.1993.06.020    

      CLC：

    • Published：1993

    移动端阅览

  • 刘芬, 王忠燕, 陈萦, 赵汝权, 胡兴中. 用俄歇参数法研究SiO2/Si界面层硅元素过渡态[J]. 1993, (6): 74-77. DOI: 10.19969/j.fxcsxb.1993.06.020. DOI：

  •  
  •  
icon
试读结束，您可以激活您的VIP账号继续阅读。
去激活 >
icon
试读结束，您可以通过登录账户，到个人中心，购买VIP会员阅读全文。
已是VIP会员？
去登录 >

0

Views

88

下载量

0

CSCD

Alert me when the article has been cited
提交
Tools
Download
Export Citation
Share
Add to favorites
Add to my album

Related Articles

面接触三探针测试硅外延片的电阻率
水中微量硅的硅钼蓝光度法测定——还原剂的研究
赤霉素在钼蓝法测定砷、磷、硅中的应用———连续测定钢铁中的砷、磷、硅
测定水中硅的新还原剂——赤霉素-葡萄糖-二氯化锡混合液
主成分回归rFIA同时测定磷和硅的应用研究

Related Author

吴泳章
朱德平
张海民
鲁松年
郑本亨
袁敏
王玉标
李前荣

Related Institution

上海市测试技术研究所
上海冶炼厂
华南师范大学分析测试中心
安徽教育学院化学系,中国科技大学结构分析开放实验室
浙江大学西溪校区化学系
0