Estudio del estado de transición del elemento silicio en la capa de interfaz SiO2/Si mediante el método de parámetros Auger

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摘要

Este artículo informa sobre el estudio del estado de transición del silicio en la capa de interfaz SiO2/Si usando el método de parámetros Auger. Con una nueva fuente híbrida de excitación de rayos X AlKα-AgLα, se obtuvieron los picos de espectro Si2P y Si KLL en la capa de interfaz. Se presentan los cambios en el estado químico desde la superficie hasta la interfaz del silicio y los valores de los parámetros Auger.

关键词

parámetros Auger; espectroscopía de electrones por rayos X; silicio

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