دراسة حالات انتقال عنصر السيليكون في طبقة واجهة SiO<sub>2</sub>/Si باستخدام طريقة معلمات الأوغه

刘芬; 王忠燕; 陈萦; 赵汝权; 胡兴中

doi:10.19969/j.fxcsxb.1993.06.020﻿

دراسة حالات انتقال عنصر السيليكون في طبقة واجهة SiO₂/Si باستخدام طريقة معلمات الأوغه

DOI：10.19969/j.fxcsxb.1993.06.020

摘要

تقدم هذه الورقة دراسة عن حالة الانتقال للسيليكون في طبقة واجهة SiO₂/Si باستخدام طريقة معلمات الأوغه. باستخدام مصدر إثارة أشعة سينية جديد AlK_α-AgL_α المختلط، تم الحصول على قمم طيف Si₂P وSi KLL على طبقة الواجهة. تم تقديم تغييرات الحالة الكيميائية من السطح إلى واجهة السيليكون وقيم معلمات الأوغه.

关键词

معلمات الأوغه; طيف الإلكترونات بالأشعة السينية; السيليكون

阅读全文

以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。

The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website

دراسة حالات انتقال عنصر السيليكون في طبقة واجهة SiO₂/Si باستخدام طريقة معلمات الأوغه

,

,

,

,

,

DOI：10.19969/j.fxcsxb.1993.06.020

摘要

关键词

دراسة حالات انتقال عنصر السيليكون في طبقة واجهة SiO2/Si باستخدام طريقة معلمات الأوغه

,

,

,

,

,

DOI：10.19969/j.fxcsxb.1993.06.020﻿

摘要

关键词

دراسة حالات انتقال عنصر السيليكون في طبقة واجهة SiO₂/Si باستخدام طريقة معلمات الأوغه

DOI：10.19969/j.fxcsxb.1993.06.020