Étude des états de transition de l’élément silicium dans la couche d’interface SiO2/Si par la méthode des paramètres Auger

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摘要

Cet article rapporte une étude des états de transition du silicium dans la couche d’interface SiO2/Si utilisant la méthode des paramètres Auger. En utilisant une nouvelle source d’excitation X hybride AlKα-AgLα, les pics spectraux Si2P et Si KLL ont été obtenus sur la couche d’interface. Les variations des états chimiques du silicium de la surface à l’interface ainsi que les valeurs des paramètres Auger sont présentées.

关键词

paramètres Auger; spectroscopie électronique X; silicium

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