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用俄歇参数法研究SiO2/Si界面层硅元素过渡态
更新时间：2026-07-27

    • 用俄歇参数法研究SiO2/Si界面层硅元素过渡态

    • 用俄歇参数法研究SiO2/Si界面层硅元素过渡态

    • 分析测试学报   1993年第6期 页码：74-77

    • DOI：10.19969/j.fxcsxb.1993.06.020    

      中图分类号：

    • 纸质出版：1993

    移动端阅览

  • 刘芬, 王忠燕, 陈萦, 赵汝权, 胡兴中. 用俄歇参数法研究SiO2/Si界面层硅元素过渡态[J]. 分析测试学报, 1993,(6):74-77. DOI: 10.19969/j.fxcsxb.1993.06.020. DOI：

    刘芬, 王忠燕, 陈萦, 赵汝权, 胡兴中. 用俄歇参数法研究SiO2/Si界面层硅元素过渡态[J]. 1993, (6): 74-77. DOI: 10.19969/j.fxcsxb.1993.06.020. DOI：

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