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1. 上海市测试技术研究所
2. 上海冶炼厂
纸质出版:1993
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吴泳章, 朱德平, 张海民, 鲁松年. 面接触三探针测试硅外延片的电阻率[J]. 分析测试学报, 1993,(2):68-71.
吴泳章, 朱德平, 张海民, 鲁松年. 面接触三探针测试硅外延片的电阻率[J]. 1993, (2): 68-71.
吴泳章, 朱德平, 张海民, 鲁松年. 面接触三探针测试硅外延片的电阻率[J]. 分析测试学报, 1993,(2):68-71. DOI: 10.19969/j.fxcsxb.1993.02.018.
吴泳章, 朱德平, 张海民, 鲁松年. 面接触三探针测试硅外延片的电阻率[J]. 1993, (2): 68-71. DOI: 10.19969/j.fxcsxb.1993.02.018.
本法(以下简称面三探针)是我国首创
它比点接触方法优越得多
可扩大目前外延片电阻率三探针测试的范围。本文阐述使用该法对校正样块硅单晶和外延片测试的情况。
程元生,朱坤宝,夏瑞明,孙毅之.三探针测试硅外延片中雪崩击穿时耗尽层宽度的面接触模型[J].固体电子学研究与进展,1987(02).
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