Test de résistivité des couches épitaxiales de silicium par sonde tritopique en contact de surface
摘要
Cette méthode (ci-après dénommée la sonde tritopique de surface) est une invention originale de la Chine, bien supérieure à la méthode de contact ponctuel, pouvant étendre la portée actuelle des tests de résistivité des couches épitaxiales avec une sonde tritopique. Cet article décrit l'utilisation de cette méthode pour tester les plaquettes monocrystals de silicium calibrées et les couches épitaxiales.
关键词
sonde; résistivité; silicium
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