利用选区电子衍射观察了聚酞菁锗氧烷晶体的电子辐照损伤规律,结果表明,各晶面损伤次序既与所对应衍射班点的衍射级数有关,又与晶面间距有关。同时用选区电子衍射测量该聚合物晶体的耐电子辐照能力,对比不同加速电压对耐电子辐照能力的影响,讨论了获取晶面间距小于1nm的晶面的晶格像的可能性。最后利用高分辨电子显微技术拍摄了该聚合物的间距为0.66nm的晶格像和二维晶格像。