扬州大学化学化工学院
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金根娣, 任艳艳, 杜诗, 等. 甲氧苄啶修饰玻碳电极安培法对过氧化氢的测定[J]. 分析测试学报, 2009,(11):1318-1322.
金根娣, 任艳艳, 杜诗, 等. 甲氧苄啶修饰玻碳电极安培法对过氧化氢的测定[J]. 分析测试学报, 2009,(11):1318-1322. DOI:
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在0.1 mol.L-1KNO3底液中,研究了甲氧苄啶在玻碳电极上的电化学性质,发现在0.140、0.177V处出现1对可逆的氧化还原峰。进一步用电化学沉积的方法将甲氧苄啶修饰在玻碳电极上,考察了各种实验条件对修饰电极性能的影响,并通过电子扫描显微镜和电化学阻抗谱对修饰电极的表面性质进行了表征,所制得的修饰电极对过氧化氢的还原有很好的催化作用。在-0.3 V的工作电位下,用计时安培法对过氧化氢进行了测定,过氧化氢的浓度在1.96×10-5,1,.10×10-3mol.L-1范围内与响应电流呈线性关系,检出限为4.0μmol.L-1。该修饰电极制作简单、使用寿命长,实际试样的回收率为97%,1,04%。
甲氧苄啶玻碳电极循环伏安法计时安培法过氧化氢
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