用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)对钠基蒙脱土进行改性,并用红外光谱、X衍射对CTAB-NaM-MT进行表征,制备了改性钠基蒙脱土修饰电极(CTAB-NaMMT-CMC/GCE),研究了水杨酸在该修饰电极上的循环伏安行为。结果表明,在pH0.8的H2SO4-Na2SO4电解质溶液中,SA在1.19 V出现一明显的氧化峰,在40,4,00 mV/s范围内,其氧化峰电流与扫描速率的平方根(v1/2)呈良好线性关系,表明电极过程为受扩散控制不可逆过程。测得SA在该修饰电极上的反应电子数、质子数、传递系数及扩散系数分别为2、2、0.389、1.275×10-6cm2/s。方波溶出伏安法的氧化峰电流(Ipa)与SA浓度在8.0×10-7,1,.25×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系(r=-0.999 6),检出限为2.27×10-7mol/L,加标回收率为96%,1,01%。