无火焰原子吸收法测定高纯SiCl<sub>4</sub>中微量杂质

孙世铭; 李文英; 唐瑞彬

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无火焰原子吸收法测定高纯SiCl₄中微量杂质

更新时间：2023-07-17

- 无火焰原子吸收法测定高纯SiCl₄中微量杂质
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- 分析测试学报 1983年第2期页码：45-49
- 作者机构：
  
  北京化学试剂研究所 ,北京化学试剂研究所 ,北京化学试剂研究所
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孙世铭, 李文英, 唐瑞彬. 无火焰原子吸收法测定高纯SiCl₄中微量杂质[J]. 分析测试学报, 1983,(2):45-49.
孙世铭, 李文英, 唐瑞彬. 无火焰原子吸收法测定高纯SiCl₄中微量杂质[J]. 分析测试学报, 1983,(2):45-49. DOI：

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<,正,>, 高纯SiCl,4,是制备光导纤维的重要材料。SiCl,4,的分析通常采用水解法:将SiCl,4,水解后加入氢氟酸,以SiF,4,形式挥发基体。该法因使用试剂多,空白值高,在高纯分析中已被低温挥发法所代替。低温挥发法是将盛有SiCl,4,坩埚放在电热板上低温(约50℃),挥发SiCl,4,或在低温下通入经过净化和干燥的氮气挥发基体,用酸溶解残渣,然

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