用俄歇参数法研究SiO<sub>2</sub>/Si界面层硅元素过渡态

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用俄歇参数法研究SiO₂/Si界面层硅元素过渡态

更新时间：2023-07-17

本文报道了俄歇参数法用于SiO,2,/Si界面层硅过渡态的研究。使用一种新的AlK,α,-AgL,α,混合X射线激发源,获得了界面层上Si,2,P,Si KLL谱峰。给出了从表面到界面硅的化学状态变化与俄歇参数值。

俄歇参数X射线电子能谱硅

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