制备了一种新颖的可对槲皮素分子进行选择性测定的分子印迹聚合物膜修饰电极。在碳纳米管(CNT)独特的结构和力学性能作用下,以吡咯(Py)为功能单体,槲皮素为模板分子,电聚合方法制备了槲皮素的分子印迹聚合物膜修饰电极(PPy/CNT/GCEMIP)。用电化学交流阻抗法研究了该修饰电极的界面性质,用循环伏安法和差分脉冲伏安法研究了槲皮素在修饰电极上的电化学行为。实验表明,该修饰电极能显著提高槲皮素的氧化峰电流,降低其氧化峰电位,并可在与其结构相似的桑色素等黄酮类物质的存在下,实现对槲皮素的选择性测定。在磷酸盐缓冲液(pH7.0)中,槲皮素的浓度在1.0×10-7~1.0×10-3mol/L范围内,其氧化峰电流与浓度存在良好的线性关系,检出限为5.5×10-8mol/L。该修饰电极可用于含槲皮素成分药物的直接测定。