“研究团队设计了专用前置放大器并搭建载流子飞行时间测试系统，"在30~70 V偏置电压下，1 mm厚CsPbBr3单晶的载流子漂移时间由4.06 μs缩短至3.21 μs，拟合得到其室温下的空穴迁移率为19.83 cm2·V-1·s-1"，为钙钛矿半导体材料载流子迁移率测量提供了有效解决方案。”