冶金部有色金属研究总院 ,冶金部有色金属研究总院
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[J]. (2):9-15(1984)
DOI:
[J]. (2):9-15(1984) DOI:
<,正,>, 超纯SiHCl,3,是研制高纯硅的重要原料。对纯度分析要求很高。本文提出,在适当条件下使SiHCl,3,主体挥发、富集其中杂质,然后阳极溶出,伏安法测定,该法简便,分析灵敏度达10,-8,—10,-9,%数量级。本文研究了杂质在SiHCl,3,挥发过程的某些规律;探讨了金属杂质Bi、Cu、Pd、Cd、In同主体挥发分离的最佳条件;设计了较合理的加料回收实验方案;并用经改进的水解法验证。实验结果指出:分析SiHCl,3,所含某些金属杂质(例如Cu、Pd)本法不仅可行,而且分析灵敏
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