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中国科学院化学研究所,中国科学院化学研究所,中国科学院化学研究所 北京100080 ,北京100080,北京,100080
Published:2002
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[J]. 2002, (5): 65-67.
DOI:
[J]. 2002, (5): 65-67. DOI:
发现当使用Mg/Al双阳极和样品磁透镜进行非导电样品(或与样品托绝缘的导电样品)的X射线光电子能谱分析时
谱峰出现异常大的位移和谱形出现畸变;在同时使用电子中和枪时谱峰位移变小
当导电样品与样品托有良好的电接触时谱峰位移消失;作者提出这种异常大的位移来自样品荷电效应
后者是由于样品磁透镜的磁场与来自X射线枪Al窗的低能杂散电子发生了相互作用并使这些杂散电子不能到达样品表面起中和作用所致
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