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1. 滁州学院电子信息工程系
2. 安徽大学物理与材料科学学院
Published:2009
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[J]. 2009, (7): 780-783.
DOI:
[J]. 2009, (7): 780-783. DOI:
采用直流磁控溅射技术在室温下制备了厚度为108.4和215.6 nm的Au膜
膜厚由椭偏仪测定。利用常规CBD扫描模式对Au膜微结构进行分析
并采用剖面分析直接法测定Au膜的微观应变。X射线衍射(XRD)分析表明
Au膜在平行于基片表面沿<111>方向择优生长;衍射线剖面的宽化主要由晶格畸变所致。厚度为215.6 nm Au膜的微观应变量为0.065
比108.4 nm Au膜(0.055)略大。
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