上海冶金研究所 ,上海冶金研究所 ,上海冶金研究所 ,上海冶金研究所 ,上海冶金研究所 ,上海冶金研究所
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[J]. (4):8-12(1986)
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[J]. (4):8-12(1986) DOI:
本文提出了一种用二次离子质谱(SIMS)测定Al,x, Ga,1-x,As薄膜样品成分的定量分析方法,通过对一组标样用线性回归法定标和迭代法定量计算,对不同能量下得到的数据进行统计分析表明,用SIMS方法测定的组份X值与用电子探针测定的结果之间的均方根误差只有8.7。本文还对影响SIMS定量分析精度的某些实验因素作了探讨。并给出了估算Al组分的I(Al,+,)/sum from j=1 to nI(M,j,+,)~C,Al,图。原则上本法也同样适用于其它多组分均匀样品的SIMS定量分析。
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