SIMOX上分子束外延生长Si／Ge<sub>0．5</sub>Si<sub>0．5</sub>应变层超晶格的TEM研究

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

SIMOX上分子束外延生长Si／Ge_0．5Si_0．5应变层超晶格的TEM研究

更新时间：2025-02-21

- SIMOX上分子束外延生长Si／Ge_0．5Si_0．5应变层超晶格的TEM研究
- Issue 5, (1994)
- 作者机构：
  
  中国科学院上海冶金研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC： O765
- Published：1994
- 稿件说明：
移动端阅览
[J]. 1994, (5).
DOI：

[J]. 1994, (5). DOI：

摘要

以分子束外延技术在ＳＩＭＯＸ衬底上生长Ｓｉ／Ｇｅ

０．５

Ｓｉ

０．５

应变层超晶格。用剖面电子显微学(ＸＴＥＭ)对超晶格膜的结构进行分析。实验结果表明，Ｓｉ／Ｇｅ

０．５

Ｓｉ

０．５

应变层超晶格能成功地生长在ＳＩＭＯＸ衬底上。由于Ｓｉ／Ｇｅ

０．５

Ｓｉ

０．５

膜与ＳＩＭＯＸ衬底之间的晶格失配，引起晶格畸变，Ｓｉ／Ｇｅ

０．５

Ｓｉ

０．５

超晶格内存在的位错与ＳＩＭＯＸ衬底内的位错密度有关。

Abstract

关键词

Keywords

references

0

Views

43

下载量

0

CSCD

Alert me when the article has been cited

提交

Tools

Publicity Resources

Related Articles

No data

Related Author

No data

Related Institution

No data

Address：100 Xianlie Middle Road, Guangzhou Postal code：510070
Tel：020-87684776,37656606 Fax：020-87684776 Email：fxcsxb@china.com
Technical support is provided by Beijing Founder electronics co., LTD 粤ICP备12017312号-3 京公网安备11010802024621
It is recommended to read the content of this site in Chrome&IE9+. Please switch to extreme mode in browser 360.
Cookies We use cookies to help provide and enhance our service and tailor content. By continuing, you agree to the use of cookies.
Total Visits：391724 Visits Today：21

⁰