Исследование переходных состояний кремния в интерфейсном слое SiO2/Si методом коэффициентов Аугера

,  

,  

,  

,  

,  

摘要

В статье представлен исследование переходного состояния кремния в интерфейсном слое SiO2/Si с использованием метода коэффициентов Аугера. С помощью нового гибридного рентгеновского источника возбуждения AlKα-AgLα были получены пики спектра Si2P и Si KLL на интерфейсном слое. Представлены изменения химического состояния от поверхности до интерфейса кремния и значения коэффициентов Аугера.

关键词

коэффициенты Аугера; рентгеновская электронная спектроскопия; кремний

阅读全文

以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。

The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website