Учитывая, что время дрейфа носителей заряда в кристаллах CsPbBr₃ толщиной миллиметрового уровня находится в микроcекундном диапазоне, в этом исследовании разработан специализированный предварительный усилитель и построена система измерения времени пролёта носителей заряда (TOF) на основе ультрафиолетового импульсного лазера. Усилитель основан на трансимпедансном усилении, на выходе добавлен согласованный усилитель для повышения коэффициента усиления напряжения. Используя операционный усилитель с ультранизким входным током смещения на уровне фемтоампер, достигнуто низкошумное преобразование сигнала. Разработанный быстрый предварительный усилитель обладает отличной линейностью и способностью к быстрой реакции на уровне микросекунд, время нарастания около 1.1 мкс, коэффициент усиления 1.97 В·мА^-1, полоса пропускания -3 дБ 315 кГц, эффективное значение выходного шума 2.58 мВ. При смещении напряжения 30~70 В время дрейфа носителей в однокристалле CsPbBr₃ толщиной 1 мм сократилось с 4.06 мкс до 3.21 мкс, при этом при комнатной температуре была получена подвижность дырок 19.83 см²⋅В^-1⋅с^-1. Этот быстрый предварительный усилитель удовлетворяет требованиям эффективного захвата слабых транзиентных сигналов в однокристаллах CsPbBr₃ и обеспечивает измерение подвижности носителей материала.

Однокристалл CsPbBr₃; время пролёта; быстрый предварительный усилитель; подвижность носителей