Estudo do estado de transição do elemento silício na camada de interface SiO2/Si pelo método dos parâmetros Auger

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摘要

Este artigo relata um estudo do estado de transição do silício na camada de interface SiO2/Si usando o método dos parâmetros Auger. Utilizando uma nova fonte híbrida de excitação de raios X AlKα-AgLα, foram obtidos os picos do espectro Si2P e Si KLL na camada de interface. Foram apresentadas as variações do estado químico do silício da superfície até a interface e os valores dos parâmetros Auger.

关键词

parâmetros Auger; espectroscopia eletrônica de raios X; silício

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