고장 비대칭 파형 이온 이동 분광법(FAIMS)은 칩 수준의 고감도 빠른 분석 검출 기술로, 대기압 환경에서 작동하는 특성 때문에 환경의 영향을 크게 받으며, 그 중 가스 습도는 중요한 영향 요인이다. 습도의 변화는 이동 영역 내 이온 반응 메커니즘 및 이동 과정의 변화를 초래할 수 있다. 본 논문은 건조 조건에서 미량 황화수소의 정량 검출 방법을 연구하였으며, DF=33%일 때 검출 선형 범위와 회귀식을 확정하였다. PTFE 관의 침투 작용을 이용하고 수욕 온도를 40~90 ℃로 설정하여 다양한 수분 함량이 FAIMS를 이용한 황화수소 검출에 미치는 영향을 조사하였다. 다양한 습도 하에서 황화수소의 FAIMS 특성 스펙트럼과 특징 이온 봉우리를 고찰하여, 도핑된 수분이 황화수소 스펙트럼 봉우리 높이, 보상 전압 및 검출 해상도에 미치는 영향을 연구하였다. 결과는 FAIMS가 황화수소의 검출 스펙트럼을 명확하게 제공하며 특징 이온 봉우리를 정확히 위치시킬 수 있음을 보여준다. 가스 내 수분이 증가함에 따라 다양한 분리 전장에서 생성된 이온 봉우리의 높이가 증가하여 습도 증가가 어느 정도 감도를 향상시킴을 나타내며, DF=35%일 때 검출 한계는 1.43×10-3 mg/m3이었다.

고장 비대칭 파형 이온 이동 분광법;수분 도핑;검출 한계;해상도