인 도핑 탄소 양자점의 제조 및 금은화 배당체 검출에서의 응용

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摘要

오산화 인과 시트르산을 원료로 사용하여 자기 촉매법으로 인이 도핑된 탄소 양자점(P-CDs)을 신속하게 제조하였으며, 투과 전자 현미경, 적외선 분광법, X선 광전자 분광법, 자외선 및 형광 분광법을 통해 특성화하였다. 결과는 P-CDs의 입자 크기가 5.0~10.2 nm 범위에 있으며, 표면에 하이드록실, 카복실 및 인 함유 작용기가 있음을 보여주었다. 금은화 배당체(HP)가 P-CDs의 형광 소광에 미치는 영향을 기반으로 HP를 검출하는 새로운 방법을 확립하였다. 이 방법은 높은 선택성과 감도를 갖는다. 최적 조건에서 HP의 P-CDs 형광 소광률(IF0/IF)은 0.22~55 μmol/L 범위 내의 HP 농도와 좋은 선형 관계를 나타내며, 검출 한계는 78 nmol/L이다. 이 방법은 복합 약품 복합 목계 과립 내 HP 검출에 성공적으로 사용되었으며, 회수율은 93.3%~107%, 상대 표준 편차는 1.5%~1.7%였다.

关键词

인 도핑 탄소 양자점; 제조; 금은화 배당체; 검출; 형광 소광

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