摘要
이 논문은 Auger 파라미터 방법을 사용하여 SiO2/Si 계면층의 실리콘 전이 상태에 대해 보고하였다. 새로운 AlKα-AgLα 혼합 X선 조사원을 사용하여 계면층에서 Si2P, Si KLL 스펙트럼 피크를 얻었다. 표면에서 계면 실리콘까지의 화학 상태 변화와 Auger 파라미터 값을 제시하였다.
关键词
Auger 파라미터; X선 전자 분광법; 실리콘
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website