CeⅣ 도핑 g-C3N4 기반 전기화학발광 표적 invA 독성 유전자 검출 향상

YANG Xu-lian ,  

LIU Xin-ling ,  

ZHANG Hong ,  

JIANG Jian ,  

PENG Lin ,  

LOU Yu-xin ,  

ZHONG Jia ,  

MAO Li ,  

摘要

살모넬라는 고병원성 식품 유래 병원균이며, invA 유전자는 살모넬라의 고도로 보존된 독성 유전자입니다. invA 유전자 검출은 살모넬라의 빠르고 정확한 검출에 중요한 의미가 있습니다. 본 논문에서는 PANI-g-C3N4-CeⅣ 나노복합재료를 기반으로 한 음극 전기화학발광(ECL) 센서 기판을 구축하고, 원형 증폭(RCA)을 이용하여 invA 유전자 상보 서열을 증폭하며, 금 나노입자 표지 반응 프로브를 적용하여 음극 ECL 신호를 강화하여 invA 살모넬라 독성 유전자를 표적 검출하였습니다. 센서 조립 과정과 실험 조건을 최적화하고 분석 성능을 평가하였습니다. 결과는 센서의 검출 선형 범위가 10 amol/L~1 μmol/L이며, 선형 방정식은 I=2131+840lgc (r2=0.9943), 검출 한계는 3.3 amol/L에 이르렀고, 첨가 회수율은 96.6%~111%임을 보여줍니다. 실제 육류 식품 살모넬라 시료 검출 결과는 유전자 서열 분석 결과와 일치하여 공중 보건 현장의 식품 안전 검출 분야에서 좋은 응용 전망을 가지고 있습니다.

关键词

살모넬라; invA 유전자; 전기화학발광; PANI-g-C3N4-CeⅣ; 원형 증폭 (RCA)

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