摘要
本論文では、俄歇パラメータ法を用いてSiO2/Si界面層におけるシリコンの遷移状態を研究した。新しいAlKα-AgLα混合X線励起源を使用して、界面層上のSi2PおよびSi KLLスペクトルピークを取得した。表面から界面シリコンまでの化学状態変化と俄歇パラメータ値を示した。
关键词
俄歇パラメータ; X線電子分光; シリコン
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