摘要
本法（以下「面三探針」とする）は中国独自の発明であり、点接触法よりもはるかに優れており、現在の外延ウェハの抵抗率三探針測定の範囲を拡大できます。本稿では、この方法を用いた補正用単結晶シリコンおよび外延ウェハの測定事例について述べます。
关键词
探針; 抵抗率; シリコン
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