CeⅣドープg-C3N4による電気化学発光標的検出invA毒性遺伝子の強化

YANG Xu-lian ,  

LIU Xin-ling ,  

ZHANG Hong ,  

JIANG Jian ,  

PENG Lin ,  

LOU Yu-xin ,  

ZHONG Jia ,  

MAO Li ,  

摘要

サルモネラは高病原性の食源性病原菌であり、invA遺伝子はサルモネラの高度に保存された毒性遺伝子である。invA遺伝子の検出はサルモネラの迅速かつ正確な検出に重要な意義を持つ。本論文では、PANI-g-C3N4-CeⅣナノコンポジット材料を用いた陰極型電気化学発光（ECL）センサー基板の構築を研究し、ローリングサークル増幅（RCA）によりinvA遺伝子の相補的配列を増幅し、金ナノ粒子標識応答プローブを適用して陰極ECL信号を増強し、invAサルモネラ毒性遺伝子のターゲット検出を行った。センサーの組み立て工程および実験条件を最適化し、その分析性能を評価した。結果はこのセンサーの検出線形範囲が10 amol/L～1 μmol/Lであり、線形方程式はI=2131+840lgc（r2=0.9943）、検出限界は3.3 amol/Lに達し、添加回収率は96.6%～111%であったことを示した。このセンサーは実際の肉類食品中のサルモネラ検出結果が遺伝子配列解析結果と一致し、公衆衛生現場での食品安全検査分野において良好な応用展望を有している。

关键词

サルモネラ; invA遺伝子; 電気化学発光; PANI-g-C3N4-CeⅣ; ローリングサークル増幅（RCA）

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