对Ｔｅ掺杂ｎ型ＧａＡｓ材料在３００～６０Ｋ之间的辐射复合进行光致发光（ＰＬ）研究。用发射波长为５１０．６ｎｍ和５７８．２ｎｍ的溴化亚铜激光器为激发光源。在所选取的狭缝宽度下谱仪的分辨率约为２ｎｍ。所提供的数据全部经过系统灵敏度校正并进行分峰拟合。对ＰＬ谱中一些主要特征进行讨论，认为Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３三个发射带分别对应着导带价带（Ｔ１）和施主受主（Ｔ２，Ｔ３）的跃迁，它们随温度变化的情况与带隙宽度及电子填充状态随温度变化有关。此外，还注意到ＰＬ谱的长波端（～９５０ｎｍ）呈上扬趋势，表明可能在低能区域存在一个与深能级复合有关的宽发射带