首次利用渐进因子分析法对ＳｉＯ２／Ｓｉ样品俄歇深度剖析过程进行研究，发现ＳｉＯ２／Ｓｉ界面处有ＳｉＯｘ成分存在，ｘ值在１０～１５之间，厚度约为３０ｎｍ，含量接近５０％。Ａｒ＋离子束的轰击使得ＳｉＯ２薄膜内分解产生亚稳态ＳｉＯ２，含量在１７％左右。研究结果表明，渐进因子分析法非常适合于俄歇深度剖析的化学态分析。