对两类多孔硅样品测量了X射线光电子能谱 (XPS) :一类为在空气中放置近一年的多孔硅

另一类为HF处理后的具有新鲜表面的多孔硅。通过分析Si2p 和O1s 芯能级谱可以得到以下结论 :新制备的多孔硅表面只有少量的O和F存在

其中氧是以OH-形式存在

它的形成与清洗过程中F-被OH-取代有关。随着放置时间的增加

表面逐渐被氧化

形成正化学计量比的SiO2

而随着从表层向内的深入

逐渐变为次氧化物。结果表明刚制备的多孔硅与大气中放置氧化后的样品表面态的类型是不一致的。