扩镓Si基溅射Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>氮化反应生长GaN薄膜

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扩镓Si基溅射Ga₂O₃氮化反应生长GaN薄膜

更新时间：2025-02-21

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- 扩镓Si基溅射Ga₂O₃氮化反应生长GaN薄膜
- 暂无标题
- 分析测试学报 2004年第6期页码：65-68
- 作者机构：
  
  山东师范大学物理与电子科学学院,山东交通学院基础部,山东师范大学物理与电子科学学院,山东师范大学物理与电子科学学院山东济南250014 ,山东济南250023 ,山东济南250014,山东,济南,250014
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN304
- 纸质出版日期：2004
- 稿件说明：
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王书运, 孙振翠, 曹文田, 薛成山. 扩镓Si基溅射Ga₂O₃氮化反应生长GaN薄膜[J]. 分析测试学报, 2004,(6):65-68.
王书运, 孙振翠, 曹文田, 薛成山. 扩镓Si基溅射Ga₂O₃氮化反应生长GaN薄膜[J]. 分析测试学报, 2004,(6):65-68. DOI：

DOI：

摘要

采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3 氮化反应生长GaN薄膜。用X射线衍射 (XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射 (SAED)、光电能谱 (XPS)和荧光光谱 (PL)对样品进行结构、形貌、组分和发光特性的分析。XRD、SAED和XPS分析证明

采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜。SEM显示薄膜由均匀、结合紧密的纳米微晶粒组成

其直径约为50～100nm。PL发光谱显示位于344nm处

相对于365nm明显蓝移的带边峰

此发光峰应归功于自由载流子的复合

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