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纸质出版日期:2004
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程发良, 吴剑, 张敏, 汪洪. 硝苯地平在聚吡咯膜修饰电极上的电化学行为及电位溶出分析[J]. 分析测试学报, 2004,(6):14-17.
程发良, 吴剑, 张敏, 汪洪. 硝苯地平在聚吡咯膜修饰电极上的电化学行为及电位溶出分析[J]. 分析测试学报, 2004,(6):14-17. DOI:
DOI:
提出了在吡咯的聚合过程将硝苯地平掺杂富集进聚吡咯膜中
然后在合适的溶液中通过线性扫描将之溶出的分析方法。与空白聚吡咯修饰电极 (PPy-GCE)比较
在0.088mol/LH2O2-0.1mol/LH2SO4 底液中
以100mV/s的速率进行线性扫描时
硝苯地平有一灵敏的线性扫描溶出峰
峰电位在 -0.628V(vs.SCE)。峰电流与硝苯地平的浓度在1×10 -8~1×10 -4mol/L范围内有良好的线性关系
利用这一峰对硝苯地平片剂的含量进行了测试
分析结果令人满意
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CSCD
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