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桂林工学院材料与化学工程系,桂林工学院材料与化学工程系 广西桂林541004,广西,桂林,541004
纸质出版日期:2007
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杜亚琳, 李建平. 氧化铱膜修饰微电极的制备及痕量砷(Ⅲ)测定[J]. 分析测试学报, 2007,(3):397-400.
杜亚琳, 李建平. 氧化铱膜修饰微电极的制备及痕量砷(Ⅲ)测定[J]. 分析测试学报, 2007,(3):397-400. DOI:
DOI:
通过在铱丝尖端电沉积氧化铱
制成氧化铱膜修饰微电极
研究了其电化学性质
测定了电极反应的动力学常数
电极反应的电子转移数为1
电子转移系数0.55
表观电子传递速率为0.1 s-1。在pH 4.5的磷酸缓冲溶液中
氧化铱膜修饰微电极对As(Ⅲ)的氧化有明显催化作用
可用于痕量As(Ⅲ)的测定
氧化峰电位为0.62 V。峰电流与As(Ⅲ)的浓度在5×10-8
8
×10-5mol/L范围呈良好的线性关系
检出限5×10-9mol/L
响应时间小于1 s。该电极制作简单
稳定性和重复性好
已用于实际样品分析。
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