研究了盐酸克伦特罗(CLB)在纳米CeO2修饰碳糊电极上的电化学行为。结果表明:在0.10 mol.L-1的HClO4溶液中

CLB于+0.40 V(vsSCE)左右处产生1对准可逆的氧化还原峰。与裸碳糊电极相比

CLB在修饰电极上的电流响应明显增大

据此建立了尿样中CLB的微分脉冲伏安测定方法。线性范围为5.0×10-9

6

.0×10-6mol.L-1(r=0.998 2

n=7)

检出限为2.5×10-9mol.L-1(3sb)

加标回收率为96%

1

04%。