SIMOX上分子束外延生长Si／Ge<sub>0．5</sub>Si<sub>0．5</sub>应变层超晶格的TEM研究

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

SIMOX上分子束外延生长Si／Ge_0．5Si_0．5应变层超晶格的TEM研究

更新时间：2025-02-21

- SIMOX上分子束外延生长Si／Ge_0．5Si_0．5应变层超晶格的TEM研究
- 暂无标题
- 分析测试学报 1994年第5期
- 作者机构：
  
  中国科学院上海冶金研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： O765
- 纸质出版日期：1994
- 稿件说明：
移动端阅览
倪如山, 朱文化, 林成鲁. SIMOX上分子束外延生长Si／Ge_0．5Si_0．5应变层超晶格的TEM研究[J]. 分析测试学报, 1994,(5).
倪如山, 朱文化, 林成鲁. SIMOX上分子束外延生长Si／Ge_0．5Si_0．5应变层超晶格的TEM研究[J]. 分析测试学报, 1994,(5). DOI：

DOI：

摘要

以分子束外延技术在ＳＩＭＯＸ衬底上生长Ｓｉ／Ｇｅ

０．５

Ｓｉ

０．５

应变层超晶格。用剖面电子显微学(ＸＴＥＭ)对超晶格膜的结构进行分析。实验结果表明，Ｓｉ／Ｇｅ

０．５

Ｓｉ

０．５

应变层超晶格能成功地生长在ＳＩＭＯＸ衬底上。由于Ｓｉ／Ｇｅ

０．５

Ｓｉ

０．５

膜与ＳＩＭＯＸ衬底之间的晶格失配，引起晶格畸变，Ｓｉ／Ｇｅ

０．５

Ｓｉ

０．５

超晶格内存在的位错与ＳＩＭＯＸ衬底内的位错密度有关。

Abstract

关键词

Keywords

references

0

浏览量

43

下载量

0

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

相关文章

暂无数据

相关作者

暂无数据

相关机构

暂无数据

地址：广州市先烈中路100号邮编：510070
联系电话：020-87684776,37656606 传真：020-87684776 Email：fxcsxb@china.com
技术支持由北京北大方正电子有限公司提供粤ICP备12017312号-3 京公网安备11010802024621
本系统建议在Chrome、 IE9+ 以上版本浏览器阅读本站内容，360浏览器请切换至极速模式
Cookies帮助我们提供服务并提供个性化体验。使用本网站，即表示您同意我们使用Cookies
总访问量：391724 今日访问量：21

⁰