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山东师范大学物理与电子科学学院,山东交通学院基础部,山东师范大学物理与电子科学学院,山东师范大学物理与电子科学学院 山东济南250014 ,山东济南250023 ,山东济南250014,山东,济南,250014
Published:2004
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[J]. 2004, (6): 65-68.
DOI:
[J]. 2004, (6): 65-68. DOI:
采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3 氮化反应生长GaN薄膜。用X射线衍射 (XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射 (SAED)、光电能谱 (XPS)和荧光光谱 (PL)对样品进行结构、形貌、组分和发光特性的分析。XRD、SAED和XPS分析证明
采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜。SEM显示薄膜由均匀、结合紧密的纳米微晶粒组成
其直径约为50~100nm。PL发光谱显示位于344nm处
相对于365nm明显蓝移的带边峰
此发光峰应归功于自由载流子的复合
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