采用循环伏安法成功制备了氢氧化钴薄膜修饰玻碳电极。考察了影响膜电沉积的因素

确定成膜液最佳pH为7.5

最佳扫描电位范围为1.00～ -0.20V。讨论了成膜过程及机理

成膜关键是Co2 +在电极表面的氧化。制得的膜修饰电极具有表面吸附反应特征

表面覆盖量相当于5～6个单层的氧化还原活性物质。膜修饰电极具有良好的稳定性

并对H2O2 表现出较高的电催化活性。线性回归方程为 :ΔIpa(μA)=15.92+4.99×104c(H2O2)(mol·L -1)(r=0.9976

n=18)

线性范围为1.72×10 -5～9.92×10 -3mol·L -1

检出限为4.25×10 -6mol·L -1(S/N=3)。